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IXFH36N55Q2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH36N55Q2

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFH36N55Q2

  • 功能描述：

    MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-247AD(IXFH)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS
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N/A
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IXYS/艾賽斯
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TO-247
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IXYS/艾賽斯
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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IXYS/艾賽斯
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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公司只售原裝,支持實單
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TO-247
68900
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更多IXFH36N55Q2供應(yīng)商 更新時間2024-12-28 16:17:00

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