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IXFJ13N50

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features ?Lowprofile,highpowerpackage ?Longcreepandstrikedistances ?Easyup-gradepathforTO-220designs ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedIn

IXYS

IXYS Corporation

IXFJ13N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFM13N50

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFM13N50

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFM13N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTC13N50

PowerMOSFETISOPLUS220

PowerMOSFETISOPLUS220TM ElectricallyIsolatedBackSurface N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bond substrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation

IXYS

IXYS Corporation

IXTC13N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

JCS13N50C

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS13N50CC-O-CA-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS13N50CC-O-C-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFJ13N50

  • 功能描述：

    MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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NA
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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更多IXFJ13N50供應商 更新時間2025-3-3 9:04:00

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