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IXFK80N20

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?Internationalstandardpackages ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Fastintrinsicrectifier

IXYS

IXYS Corporation

IXFK80N20

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=30mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFK80N20Q

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features ?Lowgatecharge ?Internationalstandardpackages ?EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Avalancheenergyandcurrentrated ?Fastin

IXYS

IXYS Corporation

IXFR80N20Q

HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247,Q-Class

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated LowQg,Highdv/dt Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Lowdraintotabcapacitance(

IXYS

IXYS Corporation

IXFT80N20Q

HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features ?Lowgatecharge ?Internationalstandardpackages ?EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Avalancheenergyandcurrentrated ?Fastin

IXYS

IXYS Corporation

IXTH80N20L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH80N20L

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTT80N20L

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

SFF80N20

AvalancheRatedN-channelMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

SFF80N20MDBS

AvalancheRatedN-channelMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFK80N20

  • 功能描述：

    MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS/艾賽斯
17+
TO-264
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IXYS
24+
TO-3PL
2100
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時(shí)可以發(fā)貨
 詢價(jià)
IXYS
24+
TO-3PL
564
詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物
 詢價(jià)
IXYS
1809+
TO-264
326
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO2643 TO264AA
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-264-3,TO-264AA
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
更多IXFK80N20供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 14:00:00

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