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IXFP20N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=300mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFP20N50P3

Preliminary Technical Information

VDSS=500V ID25=20A RDS(on)≤300m? N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMoun

IXYS

IXYS Corporation

IXFP20N50P3M

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier Features ?PlasticOvermoldedTabforElectricalIsolation ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?SpaceSavings Appli

IXYS

IXYS Corporation

IXFP20N50P3

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFQ20N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=300mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH20N50D

HighVoltageMOSFET

HighVoltageMOSFET N-Channel,DepletionMode Features ?NormallyONMode ?Internationalstandardpackages ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?Levelshifting ?Triggers ?SolidStateRelays ?CurrentRegulators ?Activeload

IXYS

IXYS Corporation

IXTT20N50D

HighVoltageMOSFET

HighVoltageMOSFET N-Channel,DepletionMode Features ?NormallyONMode ?Internationalstandardpackages ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?Levelshifting ?Triggers ?SolidStateRelays ?CurrentRegulators ?Activeload

IXYS

IXYS Corporation

JMP20N50A

JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司

PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司

MSF20N50

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MSW20N50

500VN-ChannelMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFP20N50

  • 功能描述：

    MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
23+
TO-220-3
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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IXYS
1931+
N/A
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IXYS
1809+
TO-220
1675
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I
23+
TO-220F
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
23+
TO-220鐵頭
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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IXYS
22+
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IXYS
22+
TO2203
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
21+
TO2203
13880
公司只售原裝,支持實單
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I
23+
TO-220F
6000
原裝正品，支持實單
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IXYS
21+
TO-220鐵頭
10
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
更多IXFP20N50供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 14:31:00

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