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IXGT20N60B	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD ?Highcurrenthandlingcapability ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXKC20N60C	文件：520.97 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS220Package CoolMOS?PowerMOSFETinISOPLUS220?Package ElectricallyIsolatedBackSurface N-ChannelEnhancementMode LowRDS(on),SuperjunctionMOSFET Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXKC20N60C	文件：305.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?Highpowerdissipation ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190m?@VGS=10V ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverters ?HighCurrentSwitchingApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH20N60	文件：105.52 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXGH20N60BS
功能描述：
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IXGH20N60BS供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-21 15:59:00

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