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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IXRH40N120	文件：115.91 Kbytes Page：5 Pages	IGBT with Reverse Blocking capability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXRH40N120	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 55A 300W TO247AD	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXYH40N120	文件：429.08 Kbytes Page：3 Pages	High-SpeedIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=4.0V(Max)@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KGF40N120KDA	文件：1.58455 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGF40N120KDF	文件：92.84 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
MIW40N120	文件：2.05509 Mbytes Page：6 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V40A Features ?LowVce(sat)，F(xiàn)astSwitching ?Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient ?HighRuggedness,GoodThermalStability ?VeryTightParameterDistribution ?HalogenFree ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compl	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MIW40N120-BP	文件：2.05509 Mbytes Page：6 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V40A Features ?LowVce(sat)，F(xiàn)astSwitching ?Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient ?HighRuggedness,GoodThermalStability ?VeryTightParameterDistribution ?HalogenFree ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compl	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MIW40N120FLA	文件：4.19321 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V40A Features ?HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching ?Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient ?HighRuggedness,GoodThermalStability ?VeryTightParameterDistribution ?HalogenFree.“Green”Device(Note1) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MIW40N120FLA-BP	文件：4.19321 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V40A Features ?HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching ?Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient ?HighRuggedness,GoodThermalStability ?VeryTightParameterDistribution ?HalogenFree.“Green”Device(Note1) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
NGTB40N120FLWG	文件：190.3 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB40N120IHLWG	文件：162.44 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB40N120IHRWG	文件：182.89 Kbytes Page：10 Pages	IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB40N120LWG	文件：177.8 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB40N120SWG	文件：89.94 Kbytes Page：5 Pages	IGBT-InverterWelding	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
RLPGB40N120CT	文件：335.4 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS ?Welding ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?RoHSproduct	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLTPGB40N120CT	文件：1.46637 Mbytes Page：4 Pages	TrenchandField-stoptechnology Features TrenchandField-stoptechnology Lowcollectortoemittersaturationvoltage OptimizedforFastSwitching Easyparallelswitchingcapability Shortcircuitwithstandstime-10μs Applications UninterruptiblePowerSupply InductionHeating Electricweldingmachine	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SCM40N120PCT	文件：440.74 Kbytes Page：5 Pages	1200V/40mΩN-channelSiCPowerMOSFET Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SCM40N120PS	文件：451.95 Kbytes Page：5 Pages	1200V/40mΩN-channelSiCPowerMOSFET Features Lowon-resistanceRDS(on) Bestthermalconductivityandbehavior Highspeedswitching Highrobustnessofdv/dt Lowcapacitancesandlowgatecharge Lowgateresistanceforhigh-frequencyswitching Easytoparallel HalogenFree,RoHSCompliant Applications Switchingmodepower	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
STGW40N120KD	文件：763.2 Kbytes Page：15 Pages	40A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
TSG40N120	文件：661.94 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IXRH40N120
制造商：
IXYS
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
IGBT 類(lèi)型：
NPT
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，30A
開(kāi)關(guān)能量：
3mJ（開(kāi)），700μJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
測(cè)試條件：
600V，35A，15 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 55A 300W TO247AD

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市博浩通科技有限公司	IXRH40N120	IXYS	23+	TO-247	10875	全新原裝	詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IXRH40N120	IXYS	23+	TO-3P	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IXRH40N120	IXYS	1503+	TO-247	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢(xún)價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXRH40N120	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	10000	公司只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXRH40N120	IXYS	22+	TO247AD	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢(xún)價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	IXRH40N120	IXYS	21+	TO247AD	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXRH40N120	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IXRH40N120	IXYS	2022+	TO-247AD	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)	詢(xún)價(jià)
深圳市能元時(shí)代電子有限公司	IXRH40N120	IXYS	23+	TO-3P	67938	##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢(xún)價(jià)
深圳市鼎欣微電子有限公司	IXRH40N120	IXYS/艾賽斯	TO-247		98000		詢(xún)價(jià)

更多IXRH40N120供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-25 16:02:00

產(chǎn)品屬性

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