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IXSH50N60B

Short Circuit SOA Capability

IGBTHighSpeed ShortCircuitSOACapability Features ?Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD,andTO-247SMDforsurfacemount ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?HighfrequencyIGBT ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconducti

IXYS

IXYS Corporation

IXSH50N60B

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 75A 250W TO247

IXYS

IXYS Corporation

KGF50N60KDA

KECFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiencyandshortcircuitruggedness.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KGT50N60KDA

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

NGTB50N60FLWG

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB50N60FWG

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB50N60SWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTG50N60FLWG

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTG50N60FWG

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

PJM50N60TE

N-ChannelPowerMOSFET

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司

RM50N60DF

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60DFV

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)16mΩ@VGS=10V RDS(ON)20mΩ@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60IP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60LD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60LD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60LDV

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

RM50N60TI

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures Vds=60Vo=50A Rds(on)

RECTRON

Rectron Semiconductor

SGL50N60

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGL50N60RUF

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGL50N60RUFD

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription Fairchild?’sRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitching lossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol, uninterruptedpowersupplies(UPS)andgenerali

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXSH50N60B

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    3.3mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    70ns/150ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,50A,2.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 250W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS/艾賽斯
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
詢價(jià)
IXYS
24+
TO-247
8866
詢價(jià)
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
IXYS
18+
TO-247
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時(shí)可以發(fā)貨
詢價(jià)
IXYS
1503+
TO-247
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)
IXYS
21+
TO247AD (IXSH)
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
IXYS
23+
TO247AD (IXSH)
9000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-247AD(IXSH)
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
IXYS
24+
TO-247-3
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
詢價(jià)
更多IXSH50N60B供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-25 14:00:00