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IXSH24N60B

High Speed IGBT

VCES=600V IC25=48A VCE(sat)=2.5V tfityp=170ns Features Internationalstandardpackages GuaranteedShortCircuitSOAcapability LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplic

IXYS

IXYS Corporation

IXSH24N60B

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 48A 150W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXSH24N60BD1

High Speed IGBT

VCES=600V IC25=48A VCE(sat)=2.5V tfityp=170ns Features Internationalstandardpackages GuaranteedShortCircuitSOAcapability LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplic

IXYS

IXYS Corporation

IXSH24N60BD1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 48A 150W TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXSP24N60B

HighSpeedIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXST24N60B

HighSpeedIGBT

VCES=600V IC25=48A VCE(sat)=2.5V tfityp=170ns Features Internationalstandardpackages GuaranteedShortCircuitSOAcapability LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplic

IXYS

IXYS Corporation

SPP24N60CFD

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.185? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP24N60CFD

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesExtremedv/dtratedHighpeakcurrentcapability

Features ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC1) ?CoolMOSCFDdesignedfor ?SoftswitchingPWMStages ?LC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP24N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPW24N60CFD

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤185m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXSH24N60B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，24A

  • 開關(guān)能量：

    1.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    50ns/150ns

  • 測試條件：

    480V，24A，33 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 48A 150W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IXYS
24+
T0-247AD-3
8866
詢價
IXYS
1822+
TO-247
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!
 詢價
IXYS
24+
TO-247
90000
一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理
 詢價
IXYS
18+
TO-247
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
 詢價
IXYS
1503+
TO-247
3000
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
 詢價
IXYS
21+
TO247AD (IXSH)
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
TO-247AD(IXSH)
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
更多IXSH24N60B供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 14:03:00

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