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IXSH30N60B	文件：131.5 Kbytes Page：4 Pages	High Speed IGBT HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ●Internationalstandardpackages ●ShortCircuitSOAcapability ●HighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 55A 200W TO247AD	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60B2D1	文件：522.96 Kbytes Page：6 Pages	High Speed IGBT with Diode HighSpeedIGBTwithDiode ShortCircuitSOACapability Features ?Internationalstandardpackage ?GuaranteedShortCircuitSOA capability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fastfallt	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60BD1	文件：119.01 Kbytes Page：5 Pages	High Speed IGBT with Diode ShortCircuitSOACapability Features ?Internationalstandardpackages: JEDECTO-247,TO-264&TO-268 ?ShortCircuitSOAcapability ?MediumfreqeuncyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage ?NewgenerationHDMOSTMprocess Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60B2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 48A 250W TO247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60BD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 55A 200W TO247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60C	文件：131.5 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ●Internationalstandardpackages ●ShortCircuitSOAcapability ●HighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSM30N60	文件：241.71 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ?Internationalstandardpackages ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSM30N60A	文件：241.71 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ?Internationalstandardpackages ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXST30N60B	文件：131.5 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ●Internationalstandardpackages ●ShortCircuitSOAcapability ●HighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXST30N60C	文件：131.5 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features ●Internationalstandardpackages ●ShortCircuitSOAcapability ●HighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH30N60P	文件：372.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTQ30N60P	文件：323.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTQ30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N60P	文件：276.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTV30N60P	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N60PS	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features lFastRecoverydiode lUnclampedInductiveSwitching(UIS)rated lInternationalstandardpackages lLowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
K30N60	文件：324.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IXSH30N60B
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
PT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
開關(guān)能量：
1.5mJ（關(guān)）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
30ns/150ns
測試條件：
480V，30A，4.7 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 55A 200W TO247AD

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXSH30N60B	IXYS/艾賽斯	17+	TO-247	31518	原裝正品可含稅交易	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXSH30N60B	IXYS	24+	TO-247	8866		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IXSH30N60B	IXYS	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXSH30N60B	IXYS	16+	TO-247	2100	公司大量全新現(xiàn)貨隨時可以發(fā)貨	詢價
深圳兆威電子有限公司	IXSH30N60B	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	90000	只做原廠渠道價格優(yōu)勢可提供技術(shù)支持	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IXSH30N60B	IXYS	1503+	TO-247	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXSH30N60B	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IXSH30N60B	IXYS	21+	TO247AD (IXSH)	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXSH30N60B	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IXSH30N60B	IXYS	2022+	TO-247AD(IXSH)	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價

更多IXSH30N60B供應(yīng)商更新時間2024-11-4 14:04:00

產(chǎn)品屬性

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