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IXTI76N25T

Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

IXTA76N25T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTA76N25T

PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTH76N25T

PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTH76N25T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTP76N25T

PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTP76N25T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=44mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTQ76N25T

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ76N25T

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IXYS

IXYS Corporation

IXTQ76N25T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
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更多IXTI76N25T供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00