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IXTK170P10P

P-Channel MOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-170A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTK170P10P

PolarP Power MOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXTN170P10P

PolarPTMPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTR170P10P

P-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTX170P10P

iscP-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=-170A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=-10V APPLICATIONS ·PushPullAmplifier ·High-SideSwitches ·DCchoppers ·CurrentRegulators

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTX170P10P

PolarPPowerMOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數

  • 型號:

    IXTK170P10P

  • 功能描述:

    MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXTK170P10P供應商 更新時間2024-12-31 17:05:00