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CEB140N10	文件：645.67 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP140N10	文件：1.63854 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEP140N10	文件：388.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,137A,RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP140N10	文件：645.67 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEWP140N10	文件：544.76 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,150A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-3Ppackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FIR140N10ANFG	文件：4.53139 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR140N10PG	文件：4.63559 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR140N10RG	文件：3.6961 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FQA140N10	文件：362.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQA140N10	文件：649.58 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQH140N10	文件：328.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQH140N10	文件：679.96 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IXFH140N10P	文件：119.05 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT140N10P	文件：119.05 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ140N10P	文件：170.2 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT??PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ140N10P	文件：301.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTT140N10P	文件：170.2 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT??PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MCP140N10Y	文件：748.11 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
RU140N10R	文件：455.35 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS
RU140N10R	文件：1.59965 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXTT140N10P-TRL	IXYS	24+	TO-268	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	IXTT140N10P-TRL	IXYS/艾賽斯	21+	NA	800	只做原裝,假一罰十	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IXTT140N10P-TRL	Littelfuse/IXYS	23+	TO-268	8075	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司	IXTT140N10P-TRL	IXYS/艾賽斯	21+	NA	12820	只做原裝,質(zhì)量保證	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IXTT140N10P-TRL	IXYS/艾賽斯	23+	NA	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市英瑞芯科技有限公司	IXTT140N10P-TRL	IXYS/艾賽斯		NA	8600	原裝正品,歡迎來電咨詢!	詢價(jià)
深圳市美思瑞電子科技有限公司	IXTT140N10P-TRL	IXYS/艾賽斯	22+	N/A	12245	現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	IXTT140N10P-TRL	IXYS/艾賽斯	23+	NA	25630	原裝正品	詢價(jià)
深圳市鼎欣微電子有限公司	IXTT140N10P-TRL	IXYS/艾賽斯	22+	NA	21000	原廠原包裝。假一罰十?？砷_13%增值稅發(fā)票。	詢價(jià)
深圳市雅芯通科技有限公司	IXTT140N10P-TRL	IXYS/艾賽斯	24+	N/A	5000	只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多IXTT140N10P-TRL供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 10:12:00

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