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IXFT140N10P

PolarHV HiPerFET Power MOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

CEB140N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP140N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CEP140N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,137A,RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP140N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEWP140N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,150A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-3Ppackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

FIR140N10ANFG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FIR140N10PG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FIR140N10RG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FQA140N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXFT140N10P

  • 功能描述：

    MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-268AA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IXS
15+
原廠原裝
745
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
21+
TO-268
500
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
TO-268
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268S
65493
原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨
 詢價(jià)
DISCRETE
5
IXS
745
詢價(jià)
IXYS
24+
TO-268
8866
詢價(jià)
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO-220
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
IXYS
725
313
原裝正品
 詢價(jià)
更多IXFT140N10P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 11:38:00

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