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LET8180	文件：33.55 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERTRANSISTORSLdmosEnhancedTechnology DESCRIPTION TheLET8180isacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.TheLET8180isdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsourcemod	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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