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MJ10021

60 AMPERE NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS 250 WATTS

SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlington TransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperated

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJ10021

NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

SWITCHMODE?Series NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperated

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJ10021

POWER TRANSISTORS(60A,200-250V,250W)

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

MJ10021

NPN Silicon Power Darlington Transistors with Base-Emitter Speedup Diode

SWITCHMODESeries NPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10020andMJ10021Darlingtontransistorsaredesignedforhigh-voltage,high-speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperateds

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

MJ10021

NPN Silicon Power DarligtonTransistor with Base-Emitter Speedup Diode 60 AMPERE, 200 AND 250 VOLTS, 250 WATTS

FEATURES: 1.FastTurn–OffTimes 150nsInductiveFallTimeat25oC(Typ) 750nsInductiveStorageTimeat25oC(Typ) 2.OperatingTemperatureRange–65to+200oC 3.100oCPerformanceSpecifiedfor: ReversedBiasedSOAwithInductiveLoads SwitchingTimeswithInductiveLoads Saturatio

CDIL

Continental Device India Limited

PTC10021

NPNDarlingtonTransistors

NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

PTF10021

30Watts,1.4-1.6GHzGOLDMOSFieldEffectTransistor

Description ThePTF10021isaninternallymatchedcommonsourceN-channelenhancement-modelateralMOSFETintendedforlineardriverandfinalapplicationsinthe1.4to1.6GHzrangesuchasDAB/DAR.Itisratedat30wattspoweroutput.Nitridesurfacepassivationandfullgoldmetallizatione

EricssonEricsson Microelectronics

愛立信愛立信公司

SMI10021

100-113Gbps10:4Mux/CMUwithDual-DQPSKPrecoderforShortReachApplications

SEMTECH

Semtech Corporation

SWI-10021-SB

WR-10WaveguideSpacer,21Mils,1/8λg

FEATURES FrequencyRange:75to110GHz 1/8Wavelength LowInsertionLoss InstrumentationGrade APPLICATIONS ModuleTuning Sub-assemblies MechanicalFitting VNACalibration

ERAVANT

Eravant

TDA10021

DVB-Cchannelreceiver

GENERALDESCRIPTION TheTDA10021HTisasingle-chipDVB-Cchannelreceiverfor4,16,32,64,128and256QAMmodulatedsignals.ThedeviceinterfacesdirectlytotheIFsignal,whichissampledbya10-bitADC. FEATURES ?4,16,32,64,128and256QuadratureAmplitudeModulation(QAM)demodul

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

晶體管資料

  • 型號：

    MJ10021

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    350V

  • 最大電流允許值：

    60A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    250W

  • 放大倍數(shù)：

    β>75

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    350

  • htest：

    999900

  • atest：

    60

  • wtest：

    250

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MJ10021

  • 制造商：

    NTE Electronics

  • 功能描述：

    DARLINGTON TRANSISTOR NPN 350V

  • 制造商：

    SPC Multicomp

  • 功能描述：

    DARLINGTON TRANSISTOR TO-3

  • 功能描述：

    DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 350V

  • 功能描述：

    DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3

  • 功能描述：

    DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 350V; Transistor Polarity

  • 功能描述：

    DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-3; Transistor Polarity

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MJ10021供應(yīng)商 更新時間2025-4-17 14:00:00

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