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MRF282SR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF282SR1
廠商型號(hào)

MRF282SR1

參數(shù)屬性

MRF282SR1 封裝/外殼為NI-200S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2GHZ NI-200S

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

NI-200S

文件大小

299.22 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-9 23:00:00

MRF282SR1規(guī)格書詳情

Designed for Class A and Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.

? Specified Two-Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power ó 10 Watts PEP

Power Gain ó 10.5 dB

Efficiency ó 28

Intermodulation Distortion ó -31 dBc

? Specified Single-Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power ó 10 Watts CW

Power Gain ó 9.5 dB

Efficiency ó 35

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 10 Watts CW Output Power

Features

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? RoHS Compliant

? Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF282SR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    NI-200S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-200S

  • 描述:

    FET RF 65V 2GHZ NI-200S

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FREESCALE
23+
NA/
6220
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
FSL
23+
原廠原包裝
6000
全新原裝假一賠十
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FREESCALE
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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現(xiàn)貨供應(yīng)
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專營(yíng)模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨
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高頻管全新原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票
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