MRF374分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRF374 |
| 參數(shù)屬性 | MRF374 封裝/外殼為NI-650；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 70V 863MHZ NI-650 |
| 功能描述 | RF Power Field-Effect Transistor |
| 封裝外殼 | NI-650 |
| 文件大小 |
158.98 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-12 11:02:00 |
MRF374規(guī)格書詳情
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 470 - 860 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 28 volt transmitter equipment.
? Typical Two-Tone Performance @ 860 MHz, 28 Volts, Narrowband Fixture
Output Power- 100 Watts PEP
Power Gain- 13.5dB
Efficiency -36
IMD--31 dBc
? Typical Performance at 860 MHz, 28 Volts, Broadband Fixture
Output Power - 100 Watts PEP
Power Gain- 12 dB
Efficiency -36
IMD--34dBc
? 100 Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles with 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 860 MHz, 100 Watts CW
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Differential Large-Signal Impedance Parameters
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF374A
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
857MHz ~ 863MHz
- 增益：
17.3dB
- 功率 - 輸出：
130W
- 封裝/外殼：
NI-650
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-650
- 描述：
FET RF 70V 863MHZ NI-650
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
22+ |
NI860C3 |
7185 |
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