MRF377分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF377 |
| 參數(shù)屬性 | MRF377 封裝/外殼為NI-860C3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 860MHZ |
| 功能描述 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | NI-860C3 |
| 文件大小 |
1.03228 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
Motorola【摩托羅拉】 |
| 中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-24 23:21:00 |
MRF377規(guī)格書詳情
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen cies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large?signal, common source amplifier applications in 32 volt digital television transmitter equipment.
? Typical Broadband DVBT OFDM Performance @ 470?860 MHz, 32 Volts,
IDQ= 2.0 A, 8K Mode, 64 QAM
Output Power - 45 Watts Avg.
Power Gain ≥16.7 dB
Efficiency ≥21
ACPR ≤ -58 dBc
? Typical Broadband ATSC 8VSB Performance @ 470?860 MHz, 32 Volts,
IDQ= 2.0 A
Output Power ó 80 Watts Avg.
Power Gain ≥16.5 dB
Efficiency ≥27.5
IMD ≤-31.3 dBc
? Internally Input and Output Matched for Ease of Use
? Integrated ESD Protection
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 860 MHz, 45 Watts DVBT OFDM Output Power
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large?Signal Impedance Parameters
? Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel. R5 Suffix = 50 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF377HR5
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
860MHz
- 增益：
18.2dB
- 功率 - 輸出：
45W
- 封裝/外殼：
NI-860C3
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-860C3
- 描述：
FET RF 65V 860MHZ
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale |
24+ |
高頻管 |
16800 |
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