MRF377HR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRF377HR3 |
| 參數(shù)屬性 | MRF377HR3 封裝/外殼為NI-860C3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 860MHZ NI-860C |
| 功能描述 | RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | NI-860C3 |
| 文件大小 |
781.69 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-24 18:27:00 |
| 人工找貨 | MRF377HR3價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MRF377HR3規(guī)格書詳情
470 - 860 MHz, 45 W AVG., 32 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applications in 32 volt digital television transmitter equipment.
? Typical Broadband DVBT OFDM Performance @ 470-860 MHz, 32 Volts, IDQ = 2000 mA, 8K Mode, 64 QAM
Output Power — 45 Watts Avg.
Power Gain ≥ 16.7 dB
Drain Efficiency ≥ 21
ACPR ≤ -58 dBc
? Typical Broadband ATSC 8VSB Performance @ 470-860 MHz, 32 Volts, IDQ = 2000 mA
Output Power — 80 Watts Avg.
Power Gain ≥ 16.5 dB
Drain Efficiency ≥ 27.5
IMD ≥ -31.3 dBc
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 860 MHz, 45 Watts CW Output Power
Features
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? Internally Matched for Ease of Use
? Device Designed for Push-Pull Operation Only
? Integrated ESD Protection
? Excellent Thermal Stability
? Lower Thermal Resistance Package
? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
R5 Suffix = 50 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF377HR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
860MHz
- 增益：
18.2dB
- 額定電流（安培）：
17A
- 功率 - 輸出：
45W
- 封裝/外殼：
NI-860C3
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-860C3
- 描述：
FET RF 65V 860MHZ NI-860C
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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