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MRF8S7235N分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF8S7235N
廠商型號

MRF8S7235N

參數(shù)屬性

MRF8S7235N 封裝/外殼為OM-780-2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:FET RF 70V 728MHZ OM780-2

功能描述

RF Power Field Effect Transistor

封裝外殼

OM-780-2

文件大小

410.2 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導體官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-9 23:00:00

MRF8S7235N規(guī)格書詳情

728--768 MHz, 63 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET

Designed for base station applications with frequencies from 728 to 768 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

? Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 63 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 748 MHz, 360 Watts CW Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for Enhanced Ruggedness

? Typical Pout @ 1 dB Compression Point ? 260 Watts CW

Features

? 100 PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability

? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters and Common Source S--Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Integrated ESD Protection

? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

? Optimized for Doherty Applications

? 225°C Capable Plastic Package

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13 inch Reel.

產品屬性

  • 產品編號:

    MRF8S7235NR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    728MHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 輸出:

    63W

  • 封裝/外殼:

    OM-780-2

  • 供應商器件封裝:

    OM-780-2

  • 描述:

    FET RF 70V 728MHZ OM780-2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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