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MRF8S7235N分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
![MRF8S7235N](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號 |
MRF8S7235N |
參數(shù)屬性 | MRF8S7235N 封裝/外殼為OM-780-2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:FET RF 70V 728MHZ OM780-2 |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistor |
封裝外殼 | OM-780-2 |
文件大小 |
410.2 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
中文名稱 | 飛思卡爾半導體官網 |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-9 23:00:00 |
MRF8S7235N規(guī)格書詳情
728--768 MHz, 63 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET
Designed for base station applications with frequencies from 728 to 768 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
? Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 63 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 748 MHz, 360 Watts CW Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for Enhanced Ruggedness
? Typical Pout @ 1 dB Compression Point ? 260 Watts CW
Features
? 100 PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability
? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters and Common Source S--Parameters
? Internally Matched for Ease of Use
? Integrated ESD Protection
? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
? Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
? Optimized for Doherty Applications
? 225°C Capable Plastic Package
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13 inch Reel.
產品屬性
- 產品編號:
MRF8S7235NR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
728MHz
- 增益:
20dB
- 功率 - 輸出:
63W
- 封裝/外殼:
OM-780-2
- 供應商器件封裝:
OM-780-2
- 描述:
FET RF 70V 728MHZ OM780-2
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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21+ |
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