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MRFE6S9125NBR1

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicati

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRFE6S9125NBR1

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-272BB 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 66V 880MHZ TO-272-4

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MRF6S9125NBR1

RFPowerFieldEffectTransistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6S9125NBR1

RFPowerFieldEffectTransistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6S9125NBR1

RFPowerFieldEffectTransistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRFE6S9125NBR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    880MHz

  • 增益:

    20.2dB

  • 功率 - 輸出:

    27W

  • 封裝/外殼:

    TO-272BB

  • 供應商器件封裝:

    TO-272 WB-4

  • 描述:

    FET RF 66V 880MHZ TO-272-4

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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射頻管
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原裝全系列器件/手機:18124078320☑原裝☑
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更多MRFE6S9125NBR1供應商 更新時間2024-10-24 18:31:00