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MRFG35003N6A

Gallium Arsenide PHEMT

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFG35003N6AT1

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

3.5GHz,3W,6VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. ?TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=6Volts,I

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFG35003N6AT1

Gallium Arsenide PHEMT

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFG35003N6AT1

Package：PLD-1.5；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MRFG35003N6A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類(lèi)型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP/恩智浦
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NXP/恩智浦
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更多MRFG35003N6A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-16 17:35:00

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