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MRFG35010N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRFG35010N
廠商型號(hào)

MRFG35010N

參數(shù)屬性

MRFG35010N 封裝/外殼為PLD-1.5;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD

功能描述

RF Power Field Effect Transistor

封裝外殼

PLD-1.5

文件大小

190.58 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

freescale飛思卡爾

中文名稱(chēng)

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 19:25:00

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MRFG35010N規(guī)格書(shū)詳情

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. This device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications.

? Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,

IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A

@ 0.01 Probability)

Output Power — 900 mW

Power Gain — 10 dB

Efficiency — 28

? 9 Watts P1dB @ 3.55 GHz

? Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRFG35010NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    3.55GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 輸出:

    9W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FREESCALE
06+
PLD
500
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢(xún)價(jià)
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24+
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現(xiàn)貨供應(yīng)
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