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MRFG35010中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRFG35010
廠商型號

MRFG35010

參數(shù)屬性

MRFG35010 封裝/外殼為NI-360HF;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件大小

532.61 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-10-25 17:14:00

MRFG35010規(guī)格書詳情

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or Class A linear base station applications.

? Typical W?CDMA Performance: ?42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,

IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A

@ 0.01 Probability)

Output Power — 1 Watt

Power Gain — 10 dB

Efficiency — 30

? 10 Watts P1dB @ 3.55 GHz

? Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRFG35010

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    3.55GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 輸出:

    9W

  • 封裝/外殼:

    NI-360HF

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-360HF

  • 描述:

    FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF

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