MRFG35010中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
MRFG35010 |
參數(shù)屬性 | MRFG35010 封裝/外殼為NI-360HF;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF |
功能描述 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
文件大小 |
532.61 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-10-25 17:14:00 |
MRFG35010規(guī)格書詳情
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or Class A linear base station applications.
? Typical W?CDMA Performance: ?42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01 Probability)
Output Power — 1 Watt
Power Gain — 10 dB
Efficiency — 30
? 10 Watts P1dB @ 3.55 GHz
? Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MRFG35010
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
pHEMT FET
- 頻率:
3.55GHz
- 增益:
10dB
- 功率 - 輸出:
9W
- 封裝/外殼:
NI-360HF
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-360HF
- 描述:
FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
22+ |
SMD |
18000 |
原裝現(xiàn)貨原盒原包.假一罰十 |
詢價 | ||
Freescale |
23+ |
49 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | |||
Freescale |
2018+ |
SMD |
5500 |
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談 |
詢價 | ||
Freescale |
SMD |
68900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
FREESCALE |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
FREESCALE |
標準封裝 |
58250 |
一級代理原裝正品現(xiàn)貨期貨均可訂購 |
詢價 | |||
FREESCALE |
2016+ |
NI-360HF |
6528 |
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FREESCAL |
23+ |
高頻管 |
350 |
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FREESCALE |
22+ |
原裝 |
2789 |
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FREESCALE |
04+42 |
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