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MTB60N06	文件：280.75 Kbytes Page：12 Pages	TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS HDTMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswit	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB60N06HD	文件：280.75 Kbytes Page：12 Pages	TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS HDTMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswit	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB60N06J3	文件：265.15 Kbytes Page：7 Pages	N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ?LowGateCharge ?SimpleDriveRequirement ?RoHScompliant&Halogen-freepackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTB60N06L3	文件：300.44 Kbytes Page：9 Pages	N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ?LowGateCharge ?SimpleDriveRequirement ?RoHScompliant&Halogen-freepackage	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTB60N06HD	文件：284.62 Kbytes Page：11 Pages	N??hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB60N06HDT4	文件：284.62 Kbytes Page：11 Pages	N??hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB60N06HDT4	文件：986.07 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTM60N06	文件：93.22 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELTWOSPOWERFETs 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM60N06	文件：95.14 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM60N06	文件：192.63 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR TheseTMOSPowerFETsaredesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. ?SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTimes	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP60N06	文件：217.15 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.014OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP60N06	文件：295.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP60N06HD	文件：217.15 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.014OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP60N06HD	文件：979.95 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTP60N06HD	文件：229.27 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NP60N06MLK	文件：445.45 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06MLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=8.1m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06MLK	文件：545.25 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：366.11 Kbytes Page：9 Pages	N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：528.54 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PLK	文件：529.47 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06PLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MTB60N06
制造商：
MOTOROLA
制造商全稱(chēng)：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	MTB60N06	ON/安森美	24+	TO-263	2500	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	MTB60N06	ON/安森美	24+	TO-263	505348	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	MTB60N06	ON	23+	TO-263	6893		詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	MTB60N06	ON	23+	TO-263	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	MTB60N06	ON	2023+	TO-263	80000	一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
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