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首頁 >MTP10N10ELG>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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MTP10N10ELG | Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N??hannel TO??20 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
MTP10N10ELG | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | |
N-Channel100-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuuitableforsurfacemounting.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplicatio | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplications. | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
100VN-ChannelMOSFET | PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司 | PANJIT | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPowerTransistor Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
N-Channel100-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel100-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPowerTransistor Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
StarMOSTPowerMOSFET | Good-Ark GOOD-ARK Electronics | Good-Ark | ||
N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses ?100RgTested ?100AvalancheTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChEnhancementModePowerMOSFET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號:
MTP10N10ELG
- 功能描述:
MOSFET 100V 10A Logic Level N-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
TO-2203LEADSTANDA |
8866 |
詢價 | |||
ON |
2016+ |
TO-220 |
6528 |
只做原廠原裝現(xiàn)貨!終端客戶個別型號可以免費送樣品! |
詢價 | ||
ON |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
ON |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
ON |
2020+ |
TO220 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
TO-220 |
16800 |
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
32500 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
2022 |
TO-220 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 |
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