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NDP02N60ZG	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDT02N60Z	文件：110.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
PJM02N60SA	文件：1.44682 Mbytes Page：7 Pages	N-EnhancementModeFieldEffectTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司	PJSEMI
SDU02N60	文件：1.08613 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SDUD02N60	文件：161.17 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SGB02N60	文件：798.16 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGB02N60	文件：385.58 Kbytes Page：12 Pages	FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGD02N60	文件：1.08647 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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SKB02N60	文件：1.15575 Mbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SPD02N60	文件：86.47 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOPowerTransistor SIPMOS?PowerTransistor ?N-Channel ?Enhancementmode ?Avalancherated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
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SPU02N60	文件：251.9 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapp	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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