首頁>NE3514S02-T1D-A>詳情

NE3514S02-T1D-A_NEC/瑞薩_射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET威雅利發(fā)展

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NE3514S02-T1D-A

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEC

  • 庫存數(shù)量：

    36545

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMT-86

  • 生產(chǎn)批號：

    07+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-16 18:32:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NE3514S02-T1D-A品牌：NEC

一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力

  • 芯片型號：

    NE3514S02-T1D-A

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    269.67 kb

  • 資料說明：

    K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NE3514S02-T1D-A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威雅利發(fā)展有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳經(jīng)理

  • 手機：

    18938923845

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83137789/18938923845

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1019號華強廣場A座12K

相近型號