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NE425S01-T1B中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NE425S01-T1B
廠商型號(hào)

NE425S01-T1B

功能描述

C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

52.2 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 16:31:00

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NE425S01-T1B規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The NE425S01 is a Hetero-Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and other commercial applications.

NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

? SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.60 dB TYP at 12 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.0 dB TYP at f = 12 GHz

? GATE LENGTH: ≤ 0.20 μm

? GATE WIDTH: 200 μm

? LOW COST PLASTIC PACKAGE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE425S01-T1B

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
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