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NE425S01-T1B中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE425S01-T1B
廠商型號

NE425S01-T1B

功能描述

C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

52.2 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-3 19:00:00

NE425S01-T1B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE425S01 is a Hetero-Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and other commercial applications.

NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

? SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.60 dB TYP at 12 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.0 dB TYP at f = 12 GHz

? GATE LENGTH: ≤ 0.20 μm

? GATE WIDTH: 200 μm

? LOW COST PLASTIC PACKAGE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE425S01-T1B

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
23+
SO86
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價
NEC
6000
面議
19
DIP/SMD
詢價
NEC
24+
SO86
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
NEC
23+
SO86
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
詢價
NEC
23+
NA/
4415
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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