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NE425S01-T1B中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
NE425S01-T1B |
功能描述 | C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
文件大小 |
52.2 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-12 16:31:00 |
人工找貨 | NE425S01-T1B價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE425S01-T1B規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
The NE425S01 is a Hetero-Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and other commercial applications.
NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.
FEATURES
? SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.60 dB TYP at 12 GHz
? HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.0 dB TYP at f = 12 GHz
? GATE LENGTH: ≤ 0.20 μm
? GATE WIDTH: 200 μm
? LOW COST PLASTIC PACKAGE
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
NE425S01-T1B
- 功能描述:
射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型:
pHEMT
- 頻率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪聲系數(shù):
正向跨導(dǎo)
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓:
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流:
3 A
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
1815+ |
SO86 |
6528 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
NA/ |
4415 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
20000 |
全新原廠原裝,進(jìn)口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅??! |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2022 |
SO86 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+23+ |
SO86 |
29176 |
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詢價(jià) | ||
NEC |
19+ |
SO86 |
20000 |
1200 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
35200 |
全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百! |
詢價(jià) | ||
NEC |
25+ |
SO86 |
860000 |
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詢價(jià) | ||
LINEAR |
23+ |
SOT23-5 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) |