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NE425S01-T1B中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE425S01-T1B
廠商型號

NE425S01-T1B

功能描述

C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

52.2 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-3 10:18:00

NE425S01-T1B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE425S01 is a Hetero-Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and other commercial applications.

NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

? SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.60 dB TYP at 12 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.0 dB TYP at f = 12 GHz

? GATE LENGTH: ≤ 0.20 μm

? GATE WIDTH: 200 μm

? LOW COST PLASTIC PACKAGE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE425S01-T1B

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
23+24
SO86
28950
專營原裝正品SMD二三極管,電源IC
詢價
NEC
SO86
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
詢價
NEC
21+
SO86
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價
MIC
24+
SOP8
2781
詢價
NEC
23+
SO86
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
NEC
24+
SO86
35200
全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百!
詢價
NEC
23+
SO86
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價
NEC
21+
SO86
8000
全新原裝 公司現(xiàn)貨 價格優(yōu)
詢價
NEC
2020+
SO86
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價
NEC
23+
SO86
12000
全新原裝優(yōu)勢
詢價