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NE650103M-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE650103M-A
廠商型號(hào)

NE650103M-A

參數(shù)屬性

NE650103M-A 封裝/外殼為SOT-445 變式;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 15V 2.3GHZ 3M

功能描述

10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
FET RF 15V 2.3GHZ 3M

文件大小

259.51 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-26 23:00:00

NE650103M-A規(guī)格書詳情

NE650103M-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE650103M-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE650103M-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    MESFET

  • 頻率:

    2.3GHz

  • 增益:

    11dB

  • 額定電流(安培):

    5A

  • 功率 - 輸出:

    40dBm

  • 封裝/外殼:

    SOT-445 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3M

  • 描述:

    FET RF 15V 2.3GHZ 3M

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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23+
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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