NE650103M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE650103M |
| 參數(shù)屬性 | NE650103M 封裝/外殼為SOT-445 變式；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 15V 2.3GHZ 3M |
| 功能描述 | 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET |
| 封裝外殼 | SOT-445 變式 |
| 文件大小 |
259.51 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-26 23:00:00 |
NE650103M規(guī)格書詳情
NE650103M屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE650103M晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NE650103M-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
MESFET
- 頻率：
2.3GHz
- 增益：
11dB
- 額定電流（安培）：
5A
- 功率 - 輸出：
40dBm
- 封裝/外殼：
SOT-445 變式
- 供應(yīng)商器件封裝：
3M
- 描述：
FET RF 15V 2.3GHZ 3M
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
NA/ |
776 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
04+PB |
3M |
776 |
詢價(jià) | |||
NEC |
SMD |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
24+ |
3000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
原廠正品 |
23+ |
十字架 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
PHI |
23+ |
DIP |
12300 |
詢價(jià) | |||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
CEL |
2022+ |
3M |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
原裝 |
1923+ |
原廠封裝 |
8600 |
萊克訊原廠貨源每一片都來自原廠原裝現(xiàn)貨薄利多 |
詢價(jià) |
