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NE650103M-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE650103M-A
廠商型號(hào)

NE650103M-A

參數(shù)屬性

NE650103M-A 封裝/外殼為SOT-445 變式;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 15V 2.3GHZ 3M

功能描述

N-CHANNEL GaAs MES FET

封裝外殼

SOT-445 變式

文件大小

230.89 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 23:00:00

NE650103M-A規(guī)格書詳情

10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION

The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication

base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and

low distortion.

Reliability and performance uniformity are assured by our stringent quality and control procedures.

FEATURES

? High output power: PO (1 dB) = 40.0 dBm TYP.

? High linear gain: GL = 11.0 dB TYP.

? High power added efficiency: ηadd = 45 TYP. @ VDS = 10.0 V, IDset = 1.5 A (RF OFF), f = 2.3 GHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE650103M-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    MESFET

  • 頻率:

    2.3GHz

  • 增益:

    11dB

  • 額定電流(安培):

    5A

  • 功率 - 輸出:

    40dBm

  • 封裝/外殼:

    SOT-445 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3M

  • 描述:

    FET RF 15V 2.3GHZ 3M

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
23+
NA/
776
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
NEC
04+
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1000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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PHILIPS
23+
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9980
價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來(lái)電查詢
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原廠封裝
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振宏微原裝正品,假一罰百
詢價(jià)
PHI
23+
DIP
12300
詢價(jià)
NEC
04+PB
3M
776
詢價(jià)
NEC
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6000
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