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NE650103M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE650103M
廠商型號

NE650103M
參數(shù)屬性

NE650103M 封裝/外殼為SOT-445 變式；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 15V 2.3GHZ 3M
功能描述

N-CHANNEL GaAs MES FET
封裝外殼

SOT-445 變式
文件大小

230.89 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-13 23:00:00

NE650103M規(guī)格書詳情

10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION

The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication

base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and

low distortion.

Reliability and performance uniformity are assured by our stringent quality and control procedures.

FEATURES

? High output power: PO (1 dB) = 40.0 dBm TYP.

? High linear gain: GL = 11.0 dB TYP.

? High power added efficiency: ηadd = 45 TYP. @ VDS = 10.0 V, IDset = 1.5 A (RF OFF), f = 2.3 GHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NE650103M-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    MESFET

  • 頻率：

    2.3GHz

  • 增益：

    11dB

  • 額定電流（安培）：

    5A

  • 功率 - 輸出：

    40dBm

  • 封裝/外殼：

    SOT-445 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    3M

  • 描述：

    FET RF 15V 2.3GHZ 3M

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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