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NE662M04-T2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE662M04-T2
廠商型號(hào)

NE662M04-T2

參數(shù)屬性

NE662M04-T2 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件大小

93.57 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-23 20:18:00

NE662M04-T2規(guī)格書詳情

DESCRIPTION The NE662M04 is fabricated using NECs UHS0 25 GHz fT wafer process. With a typical transition frequency of 25 GHz the NE662M04 is usable in applications from 100 MHz to 10 GHz. The NE662M04 provides excellent low voltage/low current performance.

NECs new low profile/flat lead style M04 package is ideal for todays portable wireless applications. The NE662M04 is an ideal choice for LNA and oscillator requirements in all mobile communication systems.

FEATURES

? HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 25 GHz

? LOW NOISE FIGURE: NF = 1.1 dB at 2 GHz

? HIGH MAXIMUM STABLE GAIN: 20 dB at f = 2 GHz

? NEW LOW PROFILE M04 PACKAGE:

? SOT-343 footprint, with a height of just 0.59 mm

? Flat Lead Style for better RF performance

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE662M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    3.3V

  • 頻率 - 躍遷:

    25GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.1dB @ 2GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 最大值:

    115mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 5mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-343F

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
300K庫(kù)存NEC
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