NE85635_NEC/瑞薩_射頻雙極小信號(hào)晶體管 MICRO-X NPN HI-FREQ宇創(chuàng)芯科技

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  • 廠(chǎng)家型號(hào):

    NE85635

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商:

    NEC/瑞薩

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    9600

  • 產(chǎn)品封裝:

    SMT36

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    22+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-27 15:16:00

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原廠(chǎng)料號(hào):NE85635品牌:NEC

原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!

  • 芯片型號(hào):

    NE85635

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    NEC【瑞薩】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng):

    Renesas Electronics America

  • 中文名稱(chēng):

    日本瑞薩電子株式會(huì)社

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    25 頁(yè)

  • 文件大小:

    257.29 kb

  • 資料說(shuō)明:

    NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào):

    NE85635

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 MICRO-X NPN HI-FREQ

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李小姐

  • 手機(jī):

    15889311978

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話(huà):

    0755-83220081

  • 傳真:

    0755-82799659

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)深南中路南側(cè)南光捷佳大廈1727