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NGTB20N120IHTG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 20A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
20N120C	文件：820.86 Kbytes Page：9 Pages	Generalpurposeinverters	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
BRG20N120D	文件：769.26 Kbytes Page：6 Pages	Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
FGA20N120FTD	文件：721.12 Kbytes Page：9 Pages	1200V,20ATrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGA20N120FTDTU	文件：721.12 Kbytes Page：9 Pages	1200V,20ATrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
G20N120	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	34A,1200VN-ChannelIGBT Description TheHGTG20N120E2isaMOSgated,highvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvari	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G20N120	文件：121.05 Kbytes Page：8 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
G20N120	文件：83.76 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG20N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETa	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G20N120	文件：97.79 Kbytes Page：8 Pages	45A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 45A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETs andbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlos	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G20N120	文件：93.09 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGH20N120A	文件：1.01653 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementInsulatedGateBipolarTransistor Features ?Lowsaturationvoltage,Vce(on)(typ)=2.3V@Vge=15V ?Highinputimpedance ?Fieldstoptrenchtechnologyoffersuperior conductionandswitchingperformances, ?Highspeedswitching Applications ?InductionheatingandMicrowaveoven ?Softswitchingapplications	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
HGTG20N120	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	34A,1200VN-ChannelIGBT Description TheHGTG20N120E2isaMOSgated,highvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvari	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTG20N120CN	文件：83.76 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG20N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETa	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTG20N120CND	文件：121.05 Kbytes Page：8 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HGTG20N120CND	文件：93.09 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HM20N120AB	文件：804.31 Kbytes Page：8 Pages	KEDAPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergyefficiencyforapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM20N120T	文件：968.93 Kbytes Page：9 Pages	H&MNPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM20N120TB	文件：813.96 Kbytes Page：8 Pages	KEDAPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergyefficiencyforapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IHW20N120R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW20N120R	文件：358.29 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: ?PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage ?Bodydiodeclampsnegativevoltages ?TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior ?NPTtechnologyoffers	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
NGTB20N120IHTG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
描述：
IGBT 1200V 20A TO247

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市浩睿澤電子科技有限公司	NGTB20N120IHTG	onsemi/安森美	新批次	-	4500		詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	NGTB20N120IHTG	onsemi(安森美)	23+	-	928	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	NGTB20N120IHTG		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	NGTB20N120IHTG	ON	1809+	SMD	326	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NGTB20N120IHTG	ON Semiconductor	22+		9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	NGTB20N120IHTG	onsemi(安森美)	21+	-	3460	航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	NGTB20N120IHTG	ON Semiconductor	23+		9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	NGTB20N120IHTG	ON Semiconductor	2022+	-	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	NGTB20N120IHTG	ON Semiconductor	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市弘揚(yáng)芯城科技有限公司	NGTB20N120IHTG	onsemi(安森美)	23+		6000	誠信服務(wù)，絕對原裝原盤	詢價(jià)

更多NGTB20N120IHTG供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 16:18:00

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