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NP100N04PUK_V01

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description NP100N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3m?MAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCissCiss=4700pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多NP100N04PUK_V01供應(yīng)商 更新時間2025-2-2 10:30:00

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