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NP100N055MDH	文件：371.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP100N055MUH	文件：371.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP100N055NDH	文件：280.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP100N055NUH	文件：280.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP100N055PDH	文件：344.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP100N055PUH	文件：344.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP100N055PUK	文件：110 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP100N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25m?MAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25m?MAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) ?DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK	文件：345.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP100N055PUK_V01	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25m?MAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) ?DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK-E1-AY	文件：110 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP100N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25m?MAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK-E1-AY	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25m?MAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) ?DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK-E2-AY	文件：110 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP100N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25m?MAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK-E2-AY	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25m?MAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) ?DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055MDH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055MUH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055MUH-S18	文件：994.82 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NP100N055NDH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055NUH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP100N055PDH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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更多NP100N055供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-6 14:01:00

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