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NP90N03VHG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP90N03VHGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ?Lowinputcapacitance ?Ciss=5000pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Designedfor

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP90N03VHG-E2-AY

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

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更多NP90N03VHG-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 14:14:00

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