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NV25010MUW3VTBG集成電路(IC)存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NV25010MUW3VTBG
廠商型號(hào)

NV25010MUW3VTBG

參數(shù)屬性

NV25010MUW3VTBG 封裝/外殼為8-UFDFN 裸露焊盤(pán);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8UDFN

功能描述

EEPROM Serial 1/2/4-Kb SPI Automotive Grade 1 in Wettable Flank UDFN8 Package
IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8UDFN

文件大小

233.25 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-7 23:00:00

NV25010MUW3VTBG規(guī)格書(shū)詳情

Description

The NV25010/20/40 are a EEPROM Serial 1/2/4?Kb SPI

Automotive Grade 1 devices internally organized as

128x8/256x8/512x8 bits. They feature a 16?byte page write buffer and

support the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is

enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus

signals are a clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO)

lines. The HOLD input may be used to pause any serial

communication with the NV25010/20/40 device. These devices

feature software and hardware write protection, including partial as

well as full array protection.

Features

? Automotive AEC?Q100 Grade 1 (?40°C to +125°C) Qualified

? 10 MHz SPI Compatible

? 1.8 V to 5.5 V Supply Voltage Range

? SPI Modes (0,0) & (1,1)

? 16?byte Page Write Buffer

? Self?timed Write Cycle

? Hardware and Software Protection

? Block Write Protection

? Protect 1/4, 1/2 or Entire EEPROM Array

? Low Power CMOS Technology

? 1,000,000 Program/Erase Cycles

? 100 Year Data Retention

? Wettable Flank UDFN 8?pad Package

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS

Compliant

NV25010MUW3VTBG屬于集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NV25010MUW3VTBG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NV25010MUW3VTBG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    EEPROM

  • 技術(shù):

    EEPROM

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Kb(128 x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    SPI

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    5ms

  • 電壓 - 供電:

    1.8V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-UFDFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-UDFN(2x3)

  • 描述:

    IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8UDFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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