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NXH80B120MNQ0SNG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NXH80B120MNQ0SNG |
| 參數(shù)屬性 | NXH80B120MNQ0SNG 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：PIM POWER MODULE |
| 功能描述 | Dual Boost Power Module |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | Q0BOOST / 模塊 |
| 文件大小 |
763.4 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-3 17:03:00 |
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NXH80B120MNQ0SNG規(guī)格書詳情
NXH80B120MNQ0SNG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH80B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NXH80B120MNQ0SNG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
雙路升壓斬波器
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- 描述：
PIM POWER MODULE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
原廠原封 |
24 |
訂貨1周 原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON |
1922 |
40 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中! |
詢價(jià) | |||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
4500 |
全新、原裝 |
詢價(jià) | ||
SAMYOUNG |
2410+ |
con |
9000 |
十年芯路!只做原裝!一直起賣! |
詢價(jià) | ||
SAMYOUNG |
10 |
詢價(jià) | |||||
ON Semiconductor |
23+ |
20PIM/Q0PACK (55x32.5) |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
24000 |
原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
ON |
2023 |
NA |
5018 |
原廠代理渠道,正品保障 |
詢價(jià) | ||
ON |
2022+ |
PIM-20 / Q0PACK |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
