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PD57006S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD57006S-E |
| 參數(shù)屬性 | PD57006S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
512.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
22 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-5 23:00:00 |
PD57006S-E規(guī)格書詳情
PD57006S-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD57006S-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD57006S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
945MHz
- 增益：
15dB
- 額定電流（安培）：
1A
- 功率 - 輸出：
6W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
400 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
PWRSO-10 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
ST |
2024+ |
PowerSO-10RF |
16000 |
原裝優(yōu)勢絕對有貨 |
詢價 | ||
ST |
原廠原封 |
36900 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ST |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
原廠原封 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-58 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
原廠原封 |
16900 |
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持! |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
PowerSO-10RF(直引線) |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十 |
詢價 |
