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PD57018STR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PD57018STR-E
廠商型號(hào)

PD57018STR-E

參數(shù)屬性

PD57018STR-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán);包裝為托盤(pán);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR RF POWERSO-10

功能描述

RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
TRANSISTOR RF POWERSO-10

封裝外殼

PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)

文件大小

944.64 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

25 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 20:00:00

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PD57018STR-E規(guī)格書(shū)詳情

PD57018STR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD57018STR-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PD57018STR-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    16.5dB

  • 額定電流(安培):

    2.5A

  • 功率 - 輸出:

    18W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PowerSO-10RF(直引線)

  • 描述:

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法)
24+
NA/
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法
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TO-59
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ST/意法
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PowerSO
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ST/意法半導(dǎo)體
24+
10RF-Formed-4
16900
原裝現(xiàn)貨 實(shí)單價(jià)優(yōu)
詢價(jià)