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PDTA123YS	文件：123.21 Kbytes Page：18 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistors(RET). Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Circuitdrivers ■Inverterandinterfacecir	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTA123YS	文件：237.95 Kbytes Page：19 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTA123YS,126	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTA123YT	文件：123.21 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistors(RET). Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Circuitdrivers ■Inverterandinterfacecir	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTA123YT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA123YT	文件：237.95 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTA123YU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTA123YU	文件：123.21 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistors(RET). Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Circuitdrivers ■Inverterandinterfacecir	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTA123YU	文件：237.95 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTB123E	文件：138.17 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTB123EK	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTB123EK	文件：138.17 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTB123EK	文件：245.81 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：3.67682 Mbytes Page：23 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：3.67582 Mbytes Page：23 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors 1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：2.34705 Mbytes Page：24 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTB123EQA	文件：3.67584 Mbytes Page：23 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTB123ES	文件：138.17 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTB123ES	文件：245.81 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
PDTB123ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
PDTA123YS
功能描述：
開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS BISS AMMO LARGE
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市安羅世紀(jì)電子有限公司	PDTA123YS	NXP SEMICONDUCTORS	2023+	SMD	10000	安羅世紀(jì)電子只做原裝正品貨	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	PDTA123YS,126	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	PDTA123YS,126	NXP USA Inc.	2022+	TO-92-3	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	PDTA123YS126	NXP USA Inc.	24+	TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	PDTA123YT	NEXPERIA/安世	24+	NA	72000	原裝現(xiàn)貨,專業(yè)配單專家	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	PDTA123YT	NXPSemiconductors	2022+		6000	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
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更多PDTA123YS供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 16:43:00

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