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PTAB182002FC

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAB182002FC

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 190 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz

CreeCree, Inc

科銳

PTAB182002FCV1R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAB182002FCV1R0XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAB182002FCV1R250

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAB182002FCV1R250XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAB182002FC-V1-R0

包裝：帶 封裝/外殼：H-37248-4 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PTAB182002FC-V1-R250

包裝：帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：IC AMP RF LDMOS

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PTAB182002TC

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC182002FC

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET180W,28V,1805??1880MHz

CreeCree, Inc

科銳

PXAC182002FC

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET180W,28V,1805??1880MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC182002FC

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INF
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Infineon
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Infineon
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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原裝正品，支持實(shí)單
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原廠原封
57550
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Cree/Wolfspeed
2022+
H-37248-4
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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INFINEON/英飛凌
23+
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深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
H-37248-4
22+
56000
全新原裝進(jìn)口,假一罰十
 詢價(jià)
更多PTAB182002FC供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-12 8:45:00

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