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PXAE263708NB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PXAE263708NB
廠商型號(hào)

PXAE263708NB

參數(shù)屬性

PXAE263708NB 封裝/外殼為PG-HB2SOF-8-1;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB), 28 V, 2620 – 2690 MHz
SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ

封裝外殼

PG-HB2SOF-8-1

文件大小

612.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 16:38:00

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PXAE263708NB規(guī)格書詳情

PXAE263708NB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PXAE263708NB晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PXAE263708NB is a 400-watt (P3dB) LDMOS FET intended for use

in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2620 to

2690 MHz frequency band. Features include input and output matching,

high gain and a thermally-enhanced package with earless flange.

Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device

provides excellent thermal performance and superior reliability.

Features

? Broadband internal input and output matching

? Asymmetric Doherty design

- Main: P1dB = 140 W Typ

- Peak: P1dB = 260 W Typ

? Typical pulsed CW performance, 2655 MHz, 28 V,

Doherty configuration, 10 μs, 10 duty cycle, class AB

- Output power at P1dB = 200 W

- Output power at P3dB = 400 W

- Efficiency = 49 (POUT = 57 W avg)

- Gain = 15 dB (POUT = 57 W avg)

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 32 V, 100 W (CW)

output power

? Integrated ESD protection

? Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC

JS-001)

? Low thermal resistance

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PXAE263708NB-V1-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.62GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    14dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    57W

  • 封裝/外殼:

    PG-HB2SOF-8-1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-HB2SOF-8-1

  • 描述:

    SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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