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1129	文件：175.19 Kbytes Page：16 Pages	MicropowerLowDropoutRegulatorswithShutdown	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
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F1129MBNELI	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
GP1129	文件：83.19 Kbytes Page：1 Pages	U.S.ELECTRICALDIVISIONMANCHESTER,NH03108	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
HAT1129R	文件：2.12619 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
HTT1129E	文件：280.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HTT1129EZTL-E	文件：280.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
ISF1129	文件：349.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·AvalancheRated ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=230mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·EasytoMount ·SpaceSavings	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
REX1129
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
CORD

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市艾宇欣科技有限公司	REX12-TA1-107-DC24V-10A	E-T-A	2020+	N/A	5	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
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更多REX1129供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 10:18:00

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