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13N60

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies.DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.TheNell13N60isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof13A,fastswitch

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

13N60E

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

FCP13N60N

N-ChannelMOSFET600V,13A,0.258廓

Description TheSupreMOSMOSFET,Fairchild’snextgenerationofhighvoltagesuper-junctionMOSFETs,employsadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromprecedingmulti-epibasedtechnologies.Byutilizingthisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrol,SupreMOSprovidesworld

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FCP13N60N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FCPF13N60NT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FCPF13N60NT

N-ChannelMOSFET600V,13A,0.258廓

Description TheSupreMOSMOSFET,Fairchild’snextgenerationofhighvoltagesuper-junctionMOSFETs,employsadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromprecedingmulti-epibasedtechnologies.Byutilizingthisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrol,SupreMOSprovidesworld

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FMC13N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMC13N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FMC13N60ES

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FMC13N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMH13N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMI13N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMI13N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FML13N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMP13N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMP13N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMV13N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMV13N60ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

HFP13N60U

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HFS13N60U

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SGH13N60UFDTU

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO3P
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!
 詢價
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-3P
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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FAIRCHIL
24+
TO-3P
8866
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仙童
05+
TO-247
900
原裝進口
 詢價
FAIRCHI
2020+
TO-3P
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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NA
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
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絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
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TO-3P
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公司只做原裝正品
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FAIRCHILD/仙童
TO-3P
22+
6000
十年配單,只做原裝
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更多SGH13N60UFDTU供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 9:36:00

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