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FQB6N15	文件：764.65 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features ?6.4A,150V,RDS(on)=0.6?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical6.5nC) ?LowCrss(typical9.6pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD6N15	文件：757.28 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI6N15	文件：764.65 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features ?6.4A,150V,RDS(on)=0.6?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical6.5nC) ?LowCrss(typical9.6pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP6N15	文件：295.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP6N15	文件：748.71 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF6N15	文件：744.48 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU6N15	文件：330.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU6N15	文件：757.28 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MTD6N15	文件：231.95 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES150VOLTSRDS(on)=0.3OHM PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. ?SiliconGateforFastSwitchingSp	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD6N15	文件：88.65 Kbytes Page：8 Pages	PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD6N15	文件：345.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD6N15I	文件：359.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTD6N15	文件：1.66479 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
SSM6N15AFE	文件：173.2 Kbytes Page：5 Pages	LoadSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
SSM6N15AFU	文件：197.54 Kbytes Page：5 Pages	LoadSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
SSM6N15FE	文件：180.43 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：154.65 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchingApplications ?Smallpackage ?LowONresistance:Ron=4.0?(max)(@VGS=4V) :Ron=7.0?(max)(@VGS=2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：945.85 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
UF6N15Z	文件：144.99 Kbytes Page：3 Pages	6A,150VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

詳細(xì)參數(shù)

型號：
SSM6N15AFU,LF(T
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	SSM6N15AFU,LF(T	TOSHIBA/東芝	22+	ORIGINAL	25800	原裝正品,品質(zhì)保證,值得你信賴.	詢價
亞泰電子科技有限公司	SSM6N15AFU,LF(T	TOSHIBA	22+	SMD	18000		詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	SSM6N15AFU,LF(T		24+	N/A	76000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	SSM6N15AFU.LF	TOSHIBA/東芝	21+	SOT363	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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