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首頁(yè)>STGW15H120F2>芯片詳情
STGW15H120F2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):STGW15H120F2品牌:ST/意法
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
STGW15H120F2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO247/TO-247-3的STGW15H120F2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGW15H120F2
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,15A
- 開(kāi)關(guān)能量:
380μJ(開(kāi)),370μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
23ns/111ns
- 測(cè)試條件:
600V,15A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市艾宇特電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李 先生
- 手機(jī):
15817287769
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83224028/83201767
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻1棟5樓B14
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